上发表特邀论文,拓扑磁结构及其异质结的物性与器件研究

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我校电子科学与工程学院徐永兵教授应邀在国际工程技术与材料科学领域顶尖学术期刊《Progress
in Materials Science》上发表题为 “Hybrid spintronic materials: Growth,
structure and properties” 的长篇特邀综述论文[Progress in Materials
Science 99 27-105。

国家科技部“量子调控与量子信息”重点专项“拓扑磁结构及其异质结的物性与器件研究”(2017YFA0303200),项目年度总结会于2018年12月15-16日在南京顺利召开。

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该论文总结并展望了自旋电子学从第一代GMR到MRAM到将来SFET的发展历程。本文着重结合徐永兵教授团队多年来的研究成果,论述了自旋电子材料及器件的生长、结构性能表征及器件的应用。自旋电子学的发展与应用,预示着未来以调控自旋为基础的新时代将取代调控电荷的时代,未来将引发数据存储与处理技术的革命。例如磁随机存储器MRAM具有存储数据非易失性、寿命长、低功耗、抗辐射等诸多优点,在工业自动化、嵌入式计算、网络和数据存储、汽车和航空航天等重要的民生、国防领域具有巨大的应用价值,原则上可以取代各类存储器的应用,成为未来的通用存储器。同时,该论文也指出了自旋电子学未来的发展方向,特别是可用于信息存储及处理一体化的自旋芯片的新材料及新技术。

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东校区四幢学生宿舍楼项目是学校保障今年秋季开学学生入住的一项民生工程,工期短、任务重。为按时完成工程建设任务,施工单位夜以继日、加班加点推进项目进度,由此给您带来了影响,敬请谅解!

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本次会议共有14家单位的46位代表参加,邀请到了包括国家自然科学基金委副主任谢心澄院士、中国科学技术大学副校长杜江峰院士、中科院物理所沈保根院士、清华大学段文晖院士、南京大学都有为院士、邢定钰院士等多位院士在内的顶尖专家与会。“拓扑磁结构及其异质结的物性与器件研究”项目首席科学家南京大学物理学院王伯根教授主持会议,南京大学科技处有关领导出席了会议。

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